WSD20100DN56 N-canal 20V 90A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD20100DN56 este de 20V, curentul este de 90A, rezistența este de 1,6mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
Tigari electronice MOSFET, drone MOSFET, scule electrice MOSFET, pistoale fascia MOSFET, PD MOSFET, mici electrocasnice MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 20 | V |
| VGS | Tensiune poarta-sursa | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Curent de scurgere continuu1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Curent de scurgere continuu1 | 48 | A |
| IDM | Curent de drenaj pulsat2 | 270 | A |
| EAS | Energie de avalanșă cu un singur impuls3 | 80 | mJ |
| IAS | Curentul de avalanșă | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Disiparea totală a puterii4 | 83 | W |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare | -55 până la 150 | ℃ |
| RθJA | Rezistenta termica Jonctiune-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Rezistenta termica Jonctiune-ambient1(Stare echilibrată) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Rezistenta termica Jonctiune-carcasa1 | 1.5 | ℃/W |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min | Tip | Max | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Rezistența la poartă | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Încărcare totală de poartă (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 14 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Timp de toamnă | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | --- | 501 | --- | ||
| Crs | Capacitate de transfer invers | --- | 321 | --- | ||
| IS | Sursă de curent continuu1,5 | VG=VD=0V, curent de forță | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tensiune directă a diodei2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Timp de recuperare inversă | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Taxă de recuperare inversă | --- | 72 | --- | nC |
