WSD30140DN56 N-canal 30V 85A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

produse

WSD30140DN56 N-canal 30V 85A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

scurta descriere:


  • Număr de model:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Canal:canal N
  • Pachet:DFN5*6-8
  • Produs de vară:Tensiunea MOSFET-ului WSD30140DN56 este de 30V, curentul este de 85A, rezistența este de 1,7mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5*6-8.
  • Aplicatii:Tigari electronice, incarcatoare wireless, drone, asistenta medicala, incarcatoare auto, controlere, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum etc.
  • Detaliile produsului

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generala

    WSD30140DN56 este cel mai înaltă performanță MOSFET cu canal N de șanț, cu o densitate foarte mare a celulelor, oferind un RDSON excelent și o încărcare de poartă pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron.WSD30140DN56 respectă cerințele RoHS și produsele ecologice, garanție 100% EAS, fiabilitate completă aprobată.

    Caracteristici

    Tehnologie avansată Trench cu densitate mare a celulelor, încărcare ultra-scăzută, atenuare excelentă a efectului CdV/dt, garanție 100% EAS, dispozitive verzi disponibile

    Aplicații

    Sincronizare de înaltă frecvență a punctului de sarcină, convertoare buck, sisteme de alimentare DC-DC în rețea, aplicații pentru instrumente electrice, țigări electronice, încărcare fără fir, drone, îngrijire medicală, încărcare auto, controlere, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum

    numărul material corespunzător

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.PE NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

    Parametri importanți

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    VDS Tensiune drenare-sursă 30 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±20 V
    ID@TC=25℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Curent de scurgere pulsat2 300 A
    PD@TC=25℃ Disiparea totală a puterii4 50 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 150
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare -55 până la 150
    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4,5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductanță directă VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Încărcare totală de poartă (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 9.5 ---
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 11.4 ---
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Timpul de creștere --- 6 ---
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 38,5 ---
    Tf Toamna --- 10 ---
    Ciss Capacitate de intrare VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 1280 ---
    Crs Capacitate de transfer invers --- 160 ---

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă