WSD30350DN56G MOSFET WINSOK cu canal N 30V 350A DFN5X6-8
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD30350DN56G este de 30V, curentul este de 350A, rezistența este de 1,8mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
E-tigarete MOSFET, incarcare wireless MOSFET, drone MOSFET, ingrijire medicala MOSFET, incarcatoare auto MOSFET, controlere MOSFET, produse digitale MOSFET, electrocasnice mici MOSFET, electronice de consum MOSFET.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 30 | V |
| VGS | Poarta-Source Tensiune | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Curent de scurgere continuu（Silicon Limited）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Curent de scurgere continuă (Silicon Limited）1,7 | 247 | A |
| IDM | Curent de drenaj pulsat2 | 600 | A |
| EAS | Energie de avalanșă cu un singur impuls3 | 1800 | mJ |
| IAS | Curentul de avalanșă | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Disiparea totală a puterii4 | 104 | W |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare | -55 până la 150 | ℃ |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatură | Referință la 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, euD=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Coeficient de temperatură | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductanță directă | VDS=5V, ID=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Rezistența la poartă | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Încărcare totală de poartă (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 20 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=15V, VGEN=10V, RG=1Ω, euD=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 34 | --- | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Timp de toamnă | --- | 18 | --- | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Capacitate de transfer invers | --- | 139 | --- |
