WSD40110DN56G MOSFET WINSOK cu canal N 40V 110A DFN5X6-8
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD4080DN56 este de 40 V, curentul este de 85 A, rezistența este de 4,5 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
Electrocasnice mici MOSFET, electrocasnice portabile MOSFET, motoare MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 40 | V |
| VGS | Poarta-Source Tensiune | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Curent de drenaj pulsat2 | 100 | A |
| EAS | Energie de avalanșă cu un singur impuls3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Curentul de avalanșă | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Disiparea totală a puterii4 | 52.1 | W |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare | -55 până la 150 | ℃ |
| RθJA | Rezistenta termica Jonctiune-Ambient1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Rezistenta termica Jonctiune-Carcasa1 | 2.4 | ℃/W |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductanță directă | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Încărcare totală de poartă (4,5 V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Timp de toamnă | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | --- | 215 | --- | ||
| Crs | Capacitate de transfer invers | --- | 175 | --- | ||
| IS | Sursă de curent continuu1,5 | VG=VD=0V, curent de forță | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Tensiune directă a diodei2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
