WSD4018DN22 P-canal -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

produse

WSD4018DN22 P-canal -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

scurta descriere:

Număr piesa:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

ID:-18A

RDSON:26mΩ 

Canal:Canalul P

Pachet:DFN2X2-6L


Detaliile produsului

Aplicație

Etichete de produs

Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET

Tensiunea MOSFET-ului WSD4018DN22 este -40V, curentul este -18A, rezistența este de 26mΩ, canalul este canal P și pachetul este DFN2X2-6L.

Domenii de aplicare WINSOK MOSFET

Tehnologie avansată Trench cu densitate mare de celule, încărcare super scăzută, scădere excelentă a efectului Cdv/dt Dispozitiv verde disponibil, echipament de recunoaștere a feței MOSFET, MOSFET pentru țigări electronice, MOSFET pentru electrocasnice mici, MOSFET încărcător auto.

WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă

AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L

Parametrii MOSFET

Simbol

Parametru

Evaluare

Unități

VDS

Tensiune drenare-sursă

-40

V

VGS

Tensiune poarta-sursa

±20

V

ID@Tc=25℃

Curent de scurgere continuă, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc=70℃

Curent de scurgere continuă, VGS@ -10V1

-14,6

A

IDM

300μS curent de scurgere pulsat, VGS=-4,5V2

54

A

PD@Tc=25℃

Disiparea totală a puterii3

19

W

TSTG

Interval de temperatură de depozitare

-55 până la 150

TJ

Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare

-55 până la 150

Caracteristici electrice (TJ=25 ℃, dacă nu este specificat altfel)

Simbol

Parametru

Condiții

Min.

Tip.

Max.

Unitate

BVDSS

Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=-250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=-1 mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2 VGS=-10V, ID=-8,0A

---

26

34

VGS=-4,5V, ID=-6,0A

---

31

42

VGS(th)

Tensiune prag poarta VGS=VDS, euD=-250uA

-1,0

-1,5

-3,0

V

△VGS(th)

VGS(th)Coeficient de temperatură

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Încărcare totală de poartă (-4,5 V) VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Taxă poarta-sursă

---

2.5

---

Qgd

Încărcare de scurgere de poartă

---

6.7

---

Td(activat)

Timp de întârziere la pornire VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Timpul de creștere

---

11

---

Td(off)

Timp de întârziere la oprire

---

54

---

Tf

Toamna

---

7.1

---

Ciss

Capacitate de intrare VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Coss

Capacitate de ieșire

---

116

---

Crss

Capacitate de transfer invers

---

97

---


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă