WSD4076DN56 MOSFET WINSOK cu canal N 40V 76A DFN5X6-8

produse

WSD4076DN56 MOSFET WINSOK cu canal N 40V 76A DFN5X6-8

scurta descriere:

Număr piesa:WSD4076DN56

BVDSS:40V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Canal:canal N

Pachet:DFN5X6-8


Detaliu produs

Aplicație

Etichete de produs

Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET

Tensiunea MOSFET-ului WSD4076DN56 este de 40 V, curentul este de 76 A, rezistența este de 6,9 ​​mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.

Domenii de aplicare WINSOK MOSFET

Electrocasnice mici MOSFET, electrocasnice portabile MOSFET, motoare MOSFET.

WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Parametrii MOSFET

Simbol

Parametru

Evaluare

Unități

VDS

Tensiune drenare-sursă

40

V

VGS

Poarta-Source Tensiune

±20

V

ID@TC=25

Curent de scurgere continuă, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Curent de scurgere continuă, VGS@ 10V

33

A

IDM

Curent de drenaj pulsata

125

A

EAS

Energie de avalanșă cu un singur impulsb

31

mJ

IAS

Curentul de avalanșă

31

A

PD@Ta=25

Disiparea totală a puterii

1.7

W

TSTG

Interval de temperatură de depozitare

-55 până la 150

TJ

Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare

-55 până la 150

 

Simbol

Parametru

Condiții

Min.

Tip.

Max.

Unitate

BVDSS

Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficient de temperatură Referință la 25, euD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2 VGS=10V, ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2 VGS=4,5V, ID=10A

---

10

15

VGS(th)

Tensiune prag poarta VGS=VDS, euD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Coeficient de temperatură

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductanță directă VDS=5V, ID=20A

---

18

---

S

Rg

Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Încărcare totală de poartă (10V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Taxă poarta-sursă

---

3.0

---

Qgd

Încărcare de scurgere de poartă

---

1.2

---

Td(activat)

Timp de întârziere la pornire VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, euD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Timpul de creștere

---

5.6

---

Td(off)

Timp de întârziere la oprire

---

20

---

Tf

Timp de toamnă

---

11

---

Ciss

Capacitate de intrare VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Capacitate de ieșire

---

185

---

Crss

Capacitate de transfer invers

---

38

---


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă