WSD4080DN56 N-canal 40V 85A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produse

WSD4080DN56 N-canal 40V 85A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

scurta descriere:

Număr piesa:WSD4080DN56

BVDSS:40V

ID:85A

RDSON:4,5 mΩ 

Canal:canal N

Pachet:DFN5X6-8


Detaliile produsului

Aplicație

Etichete de produs

Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET

Tensiunea MOSFET-ului WSD4080DN56 este de 40 V, curentul este de 85 A, rezistența este de 4,5 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.

Domenii de aplicare WINSOK MOSFET

Electrocasnice mici MOSFET, electrocasnice portabile MOSFET, motoare MOSFET.

WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Parametrii MOSFET

Simbol

Parametru

Evaluare

Unități

VDS

Tensiune drenare-sursă

40

V

VGS

Tensiune poarta-sursa

±20

V

ID@TC=25℃

Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100℃

Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Curent de drenaj pulsat2

100

A

EAS

Energie de avalanșă cu un singur impuls3

110,5

mJ

IAS

Curentul de avalanșă

47

A

PDTC=25℃

Disiparea totală a puterii4

52.1

W

TSTG

Interval de temperatură de depozitare

-55 până la 150

TJ

Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare

-55 până la 150

RθJA

Rezistenta termica Jonctiune-Ambient1

62

℃/W

RθJC

Rezistenta termica Jonctiune-Carcasa1

2.4

℃/W

 

Simbol

Parametru

Condiții

Min.

Tip.

Max.

Unitate

BVDSS

Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4,5V, ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

5

IGSS

Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductanță directă VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Încărcare totală de poartă (4,5 V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Taxă poarta-sursă

---

5.8

---

Qgd

Încărcare de scurgere de poartă

---

9.5

---

Td(activat)

Timp de întârziere la pornire VDD=15V, VGS=10V RG=3,3ΩID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Timpul de creștere

---

8.8

---

Td(off)

Timp de întârziere la oprire

---

74

---

Tf

Toamna

---

7

---

Ciss

Capacitate de intrare VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Capacitate de ieșire

---

215

---

Crs

Capacitate de transfer invers

---

175

---

IS

Sursă de curent continuu1,5 VG=VD=0V, curent de forță

---

---

70

A

VSD

Tensiune directă a diodei2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃

---

---

1

V


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă