WSD4098 N-Channel dublu 40V 22A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK
Descriere generala
WSD4098DN56 este cel mai înaltă performanță MOSFET Dual N-Ch cu o densitate extrem de ridicată a celulelor, care oferă RDSON excelent și încărcare de poartă pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron.WSD4098DN56 îndeplinește cerințele RoHS și Green Product 100% EAS garantat cu fiabilitatea completă a funcțiilor aprobate.
Caracteristici
Tehnologie avansată Trench cu densitate ridicată a celulelor, încărcare super scăzută, scădere excelentă a efectului CdV/dt, garantat EAS 100%, dispozitiv verde disponibil
Aplicații
Sincron la punctul de încărcare de înaltă frecvență, Convertor Buck pentru MB/NB/UMPC/VGA, Sistem de alimentare DC-DC în rețea, Comutator de încărcare, țigări electronice, încărcare fără fir, motoare, drone, îngrijire medicală, încărcătoare auto, controlere, digital produse, electrocasnice mici, electronice de larg consum.
numărul material corespunzător
AOS AON6884
Parametri importanți
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unitate | |
| Evaluări comune | ||||
| VDSS | Tensiune drenare-sursă | 40 | V | |
| VGSS | Tensiune poarta-sursa | ±20 | V | |
| TJ | Temperatura maximă de joncțiune | 150 | °C | |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | °C | |
| IS | Diodă curent direct direct | TA=25°C | 11.4 | A |
| ID | Curent de scurgere continuu | TA=25°C | 22 | A |
| TA=70°C | 22 | |||
| I DM b | Curent de scurgere a impulsului testat | TA=25°C | 88 | A |
| PD | Disiparea maximă a puterii | T. = 25°C | 25 | W |
| TC=70°C | 10 | |||
| RqJL | Rezistenta termica-jonctiune la plumb | Stare echilibrată | 5 | °C/V |
| RqJA | Rezistenta termica-jonctiune la mediu | t £ 10s | 45 | °C/V |
| stare de echilibru b | 90 | |||
| I AS d | Curent de avalanșă, un singur impuls | L=0,5 mH | 28 | A |
| E AS d | Energie de avalanșă, un singur impuls | L=0,5 mH | 39.2 | mJ |
| Simbol | Parametru | Condiții de test | Min. | Tip. | Max. | Unitate | |
| Caracteristici statice | |||||||
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Curent de scurgere de tensiune de poartă zero | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Curent de scurgere la poartă | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) e | Rezistență la starea de scurgere-sursă | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | m V | |
| VGS=4,5V, IDS=12 A | - | 9,0 | 11 | ||||
| Caracteristicile diodei | |||||||
| V SD e | Tensiune directă a diodei | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Timp de recuperare inversă | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | Taxă de recuperare inversă | - | 13 | - | nC | ||
| Caracteristici dinamice f | |||||||
| RG | Rezistența la poartă | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
| Ciss | Capacitate de intrare | VGS=0V, VDS=20V, Frecvență = 1,0 MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
| Coss | Capacitate de ieșire | - | 317 | - | |||
| Crs | Capacitate de transfer invers | - | 96 | - | |||
| td(ON) | Timp de întârziere la pornire | VDD = 20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | Timp de creștere a pornirii | - | 8 | - | |||
| td( OFF) | Timp de întârziere la oprire | - | 30 | - | |||
| tf | Oprire Timp de toamnă | - | 21 | - | |||
| Caracteristici de încărcare f | |||||||
| Qg | Taxa totală de poartă | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | Taxa totală de poartă | VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | Taxă Poarta Prag | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | Taxă poarta-sursă | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | - | 3 | - | |||
