WSD4280DN22 Canal P dublu -15V -4.6A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

produse

WSD4280DN22 Canal P dublu -15V -4.6A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

scurta descriere:

Număr piesa:WSD4280DN22

BVDSS:-15V

ID:-4,6A

RDSON:47mΩ 

Canal:Canal P dublu

Pachet:DFN2X2-6L


Detaliu produs

Aplicație

Etichete de produs

Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET

Tensiunea MOSFET-ului WSD4280DN22 este -15V, curentul este -4,6A, rezistența este de 47mΩ, canalul este Dual P-channel și pachetul este DFN2X2-6L.

Domenii de aplicare WINSOK MOSFET

Comutator de blocare bidirecțional; Aplicații de conversie DC-DC; Încărcarea bateriei Li; MOSFET pentru țigări electronice, MOSFET de încărcare fără fir, MOSFET de încărcare auto, controler MOSFET, MOSFET de produs digital, MOSFET pentru electrocasnice mici, MOSFET pentru electronice de consum.

WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă

PANJIT MOSFET PJQ2815

Parametrii MOSFET

Simbol

Parametru

Evaluare

Unități

VDS

Tensiune drenare-sursă

-15

V

VGS

Tensiune poarta-sursa

±8

V

ID@Tc=25℃

Curent de scurgere continuă, VGS= -4,5V1 

-4,6

A

IDM

Curent de scurgere pulsat 300μS, (VGS=-4,5 V)

-15

A

PD 

Reducerea puterii disipate peste TA = 25°C (Nota 2)

1.9

W

TSTG,TJ 

Interval de temperatură de depozitare

-55 până la 150

RθJA

Rezistenta termica Jonctiune-ambient1

65

℃/W

RθJC

Rezistenta termica Jonctiune-Carcasa1

50

℃/W

Caracteristici electrice (TJ=25 ℃, dacă nu este specificat altfel)

Simbol

Parametru

Condiții

Min.

Tip.

Max.

Unitate

BVDSS 

Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=-250uA

-15

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=-1 mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2  VGS=-4,5V, ID=-1A

---

47

61

VGS=-2,5 V, ID=-1A

---

61

80

VGS=-1,8V, ID=-1A

---

90

150

VGS(th)

Tensiune prag poarta VGS=VDS, euD=-250uA

-0,4

-0,62

-1,2

V

△VGS(th) 

VGS(th)Coeficient de temperatură

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±12V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductanță directă VDS=-5V, ID=-1A

---

10

---

S

Rg 

Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

2

---

Ω

Qg 

Încărcare totală de poartă (-4,5 V)

VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-4,6A

---

9.5

---

nC

Qgs 

Taxă poarta-sursă

---

1.4

---

Qgd 

Încărcare de scurgere de poartă

---

2.3

---

Td(activat)

Timp de întârziere la pornire VDD=-10V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω

ID=-3,9A,

---

15

---

ns

Tr 

Timpul de creștere

---

16

---

Td(off)

Timp de întârziere la oprire

---

30

---

Tf 

Timp de toamnă

---

10

---

Ciss 

Capacitate de intrare VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz

---

781

---

pF

Coss

Capacitate de ieșire

---

98

---

Crss 

Capacitate de transfer invers

---

96

---


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă