WSD4280DN22 Canal P dublu -15V -4.6A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD4280DN22 este -15V, curentul este -4,6A, rezistența este de 47mΩ, canalul este Dual P-channel și pachetul este DFN2X2-6L.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
Comutator de blocare bidirecțional; Aplicații de conversie DC-DC; Încărcarea bateriei Li; MOSFET pentru țigări electronice, MOSFET de încărcare fără fir, MOSFET de încărcare auto, controler MOSFET, MOSFET de produs digital, MOSFET pentru electrocasnice mici, MOSFET pentru electronice de consum.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
PANJIT MOSFET PJQ2815
Parametrii MOSFET
Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
VDS | Tensiune drenare-sursă | -15 | V |
VGS | Tensiune poarta-sursa | ±8 | V |
ID@Tc=25℃ | Curent de scurgere continuă, VGS= -4,5V1 | -4,6 | A |
IDM | Curent de scurgere pulsat 300μS, (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
PD | Reducerea puterii disipate peste TA = 25°C (Nota 2) | 1.9 | W |
TSTG,TJ | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | ℃ |
RθJA | Rezistenta termica Jonctiune-ambient1 | 65 | ℃/W |
RθJC | Rezistenta termica Jonctiune-Carcasa1 | 50 | ℃/W |
Caracteristici electrice (TJ=25 ℃, dacă nu este specificat altfel)
Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=-250uA | -15 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficientul de temperatură BVDSS | Referință la 25℃, ID=-1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=-4,5V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
VGS=-1,8V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, euD=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1,2 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Coeficient de temperatură | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductanță directă | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
Rg | Rezistența la poartă | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Încărcare totală de poartă (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 1.4 | --- | ||
Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 2.3 | --- | ||
Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=-10V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
Tr | Timpul de creștere | --- | 16 | --- | ||
Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 30 | --- | ||
Tf | Timp de toamnă | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Capacitate de intrare | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
Coss | Capacitate de ieșire | --- | 98 | --- | ||
Crss | Capacitate de transfer invers | --- | 96 | --- |