WSD6040DN56 N-canal 60V 36A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD6040DN56 este de 60V, curentul este de 36A, rezistența este de 14mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
E-tigarete MOSFET, incarcare wireless MOSFET, motoare MOSFET, drone MOSFET, ingrijire medicala MOSFET, incarcatoare auto MOSFET, controlere MOSFET, produse digitale MOSFET, electrocasnice mici MOSFET, electronice de larg consum MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități | ||
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 60 | V | ||
| VGS | Tensiune poarta-sursa | ±20 | V | ||
| ID | Curent de scurgere continuu | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Curent de scurgere continuu | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Curent de drenaj pulsat | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Disiparea maximă a puterii | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Disiparea maximă a puterii | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Curent de avalanșă, un singur impuls | L=0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Energie de avalanșă cu un singur impuls | L=0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Diodă curent direct direct | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Temperatura maximă de joncțiune | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Rezistenta termica Jonctiune la mediu | Stare echilibrată | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Rezistenta termica-jonctiune la carcasa | Stare echilibrată | 3.3 | ℃/W | |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate | |
| Static | |||||||
| V(BR)DSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Curent de scurgere de tensiune de poartă zero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Curent de scurgere la poartă | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Despre Caracteristici | |||||||
| VGS(TH) | Tensiune prag poarta | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(activat)d | Rezistență la starea de scurgere-sursă | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Comutare | |||||||
| Qg | Taxa totală de poartă | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Încărcare Poartă-Acră | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | 9.6 | nC | ||||
| td (pornit) | Timp de întârziere la pornire | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Pornire Rise Time | 9 | ns | ||||
| td(off) | Timp de întârziere la oprire | 58 | ns | ||||
| tf | Oprire Timp de toamnă | 14 | ns | ||||
| Rg | Rezistenta la gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamic | |||||||
| Ciss | În Capacitate | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Capacitate de ieșire | 140 | pF | ||||
| Crs | Capacitate de transfer invers | 100 | pF | ||||
| Caracteristicile diodei drenaj-sursă și evaluările maxime | |||||||
| IS | Sursă de curent continuu | VG=VD=0V, curent de forță | 18 | A | |||
| ISM | Sursă de curent pulsat3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Tensiune directă a diodei | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Timp de recuperare inversă | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Taxă de recuperare inversă | 33 | nC | ||||
