WSD6060DN56 N-canal 60V 65A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD6060DN56 este de 60V, curentul este de 65A, rezistența este de 7,5mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
E-tigarete MOSFET, incarcare wireless MOSFET, motoare MOSFET, drone MOSFET, ingrijire medicala MOSFET, incarcatoare auto MOSFET, controlere MOSFET, produse digitale MOSFET, electrocasnice mici MOSFET, electronice de larg consum MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unitate | |
| Evaluări comune | ||||
| VDSS | Tensiune drenare-sursă | 60 | V | |
| VGSS | Tensiune poarta-sursa | ±20 | V | |
| TJ | Temperatura maximă de joncțiune | 150 | °C | |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | °C | |
| IS | Diodă curent direct direct | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Curent de scurgere continuu | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| I DM b | Curent de scurgere a impulsului testat | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Disiparea maximă a puterii | Tc=25°C | 62,5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Rezistenta termica-jonctiune la plumb | Stare echilibrată | 2.1 | °C/V |
| RqJA | Rezistenta termica-jonctiune la mediu | t £ 10s | 45 | °C/V |
| Stare echilibratăb | 50 | |||
| EU AS d | Curent de avalanșă, un singur impuls | L=0,5 mH | 18 | A |
| E AS d | Energie de avalanșă, un singur impuls | L=0,5 mH | 81 | mJ |
| Simbol | Parametru | Condiții de testare | Min. | Tip. | Max. | Unitate | |
| Caracteristici statice | |||||||
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Curent de scurgere de tensiune de poartă zero | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VDS=VGS, euDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Curent de scurgere la poartă | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | Rezistență la starea de scurgere-sursă | VGS=10V, IDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5 V, IDS=15 A | - | 10 | 15 | ||||
| Caracteristicile diodei | |||||||
| V SD | Tensiune directă a diodei | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Timp de recuperare inversă | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Taxă de recuperare inversă | - | 36 | - | nC | ||
| Caracteristici dinamice3,4 | |||||||
| RG | Rezistența la poartă | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Capacitate de intrare | VGS=0V, VDS=30V, F=1,0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Capacitate de ieșire | - | 270 | - | |||
| Crss | Capacitate de transfer invers | - | 40 | - | |||
| td(ON) | Timp de întârziere la pornire | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Pornire Rise Time | - | 6 | - | |||
| td( OFF) | Timp de întârziere la oprire | - | 33 | - | |||
| tf | Oprire Timp de toamnă | - | 30 | - | |||
| Caracteristici de încărcare a porții 3,4 | |||||||
| Qg | Taxa totală de poartă | VDS=30V, VGS=4,5 V, IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Taxa totală de poartă | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Taxă Poarta Prag | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Taxă poarta-sursă | - | 5 | - | |||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | - | 4.2 | - | |||
