WSD75100DN56 MOSFET WINSOK cu canal N 75V 100A DFN5X6-8
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET-ului WSD75100DN56 este de 75 V, curentul este de 100 A, rezistența este de 5,3 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
E-tigarete MOSFET, incarcare wireless MOSFET, drone MOSFET, ingrijire medicala MOSFET, incarcatoare auto MOSFET, controlere MOSFET, produse digitale MOSFET, electrocasnice mici MOSFET, electronice de consum MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 75 | V |
| VGS | Poarta-Source Tensiune | ±25 | V |
| TJ | Temperatura maximă de joncțiune | 150 | °C |
| ID | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | °C |
| IS | Diodă curent direct direct, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Curent de drenaj pulsat, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Putere disipată maximă, TC=25°C | 155 | W |
| Putere disipată maximă, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Rezistenta termica-jonctiune la mediu ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Rezistență termică-joncțiune la mediu, stare de echilibru | 60 | °C | |
| RqJC | Rezistenta termica-jonctiune la carcasa | 0,8 | °C |
| IAS | Curent de avalanșă, un singur impuls, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Energie de avalanșă, impuls unic, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatură | Referință la 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, euD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Coeficient de temperatură | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductanță directă | VDS=5V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Rezistența la poartă | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Încărcare totală de poartă (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 17 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, euD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 14 | 26 | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Toamna | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Capacitate de transfer invers | 100 | 195 | 250 |
