WSD80100DN56 N-canal 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produse

WSD80100DN56 N-canal 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

scurta descriere:

Număr piesa:WSD80100DN56

BVDSS:80V

ID:100A

RDSON:6,1 mΩ

Canal:canal N

Pachet:DFN5X6-8


Detaliile produsului

Aplicație

Etichete de produs

Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET

Tensiunea MOSFET-ului WSD80100DN56 este de 80V, curentul este de 100A, rezistența este de 6,1 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.

Domenii de aplicare WINSOK MOSFET

Drones MOSFET, motoare MOSFET, electronice auto MOSFET, electrocasnice majore MOSFET.

WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.

Parametrii MOSFET

Simbol

Parametru

Evaluare

Unități

VDS

Tensiune drenare-sursă

80

V

VGS

Poarta-Source Tensiune

±20

V

TJ

Temperatura maximă de joncțiune

150

°C

ID

Interval de temperatură de depozitare

-55 până la 150

°C

ID

Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

Curent de drenaj pulsat, TC=25°C

380

A

PD

Putere disipată maximă, TC=25°C

200

W

RqJC

Rezistenta termica-jonctiune la carcasa

0,8

°C

EAS

Energie de avalanșă, impuls unic, L=0,5 mH

800

mJ

 

Simbol

Parametru

Condiții

Min.

Tip.

Max.

Unitate

BVDSS

Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficient de temperatură Referință la 25, euD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ACTIVAT)

Rezistență la sursă de scurgere statică2 VGS=10V, ID=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Tensiune prag poarta VGS=VDS, euD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Coeficient de temperatură

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductanță directă VDS=5V, ID=20A

80

---

---

S

Qg

Încărcare totală de poartă (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

125

---

nC

Qgs

Taxă poarta-sursă

---

24

---

Qgd

Încărcare de scurgere de poartă

---

30

---

Td(activat)

Timp de întârziere la pornire VDD=30V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, euD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Timpul de creștere

---

19

---

Td(off)

Timp de întârziere la oprire

---

70

---

Tf

Toamna

---

30

---

Ciss

Capacitate de intrare VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Coss

Capacitate de ieșire

---

410

---

Crss

Capacitate de transfer invers

---

315

---


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă