WSD80120DN56 N-canal 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET WSD80120DN56 este de 85V, curentul este de 120A, rezistența este de 3,7mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
MOSFET de tensiune medicală, echipamente fotografice MOSFET, drone MOSFET, control industrial MOSFET, 5G MOSFET, MOSFET pentru electronice auto.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 85 | V |
| VGS | Poarta-Source Tensiune | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Curent de scurgere continuă, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Curent de scurgere continuă, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Curent de drenaj pulsat..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Energie de avalanșă, impuls unic, L=0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Curent de avalanșă, un singur impuls, L=0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Disiparea totală a puterii | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Disiparea totală a puterii | 53 | W |
| TSTG | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 175 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare | 175 | ℃ |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatură | Referință la 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, euD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Coeficient de temperatură | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Rezistența la poartă | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Încărcare totală de poartă (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 11 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 18 | --- | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Timp de toamnă | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Capacitate de transfer invers | --- | 180 | --- |
