WSD80130DN56 N-canal 80V 130A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prezentare generală a produsului WINSOK MOSFET
Tensiunea MOSFET WSD80130DN56 este de 80V, curentul este de 130A, rezistența este de 2,7mΩ, canalul este N-canal și pachetul este DFN5X6-8.
Domenii de aplicare WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, motoare MOSFET, MOSFET medical, scule electrice MOSFET, ESC-uri MOSFET.
WINSOK MOSFET corespunde altor numere de materiale de marcă
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametrii MOSFET
| Simbol | Parametru | Evaluare | Unități |
| VDS | Tensiune drenare-sursă | 80 | V |
| VGS | Poarta-Source Tensiune | ±20 | V |
| TJ | Temperatura maximă de joncțiune | 150 | °C |
| ID | Interval de temperatură de depozitare | -55 până la 150 | °C |
| ID | Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=25°C | 130 | A |
| Curent de scurgere continuă, VGS=10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Curent de drenaj pulsat, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Putere disipată maximă, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Rezistenta termica-jonctiune la carcasa | 1.25 | °C |
| Simbol | Parametru | Condiții | Min. | Tip. | Max. | Unitate |
| BVDSS | Tensiune de defalcare dren-sursă | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatură | Referință la 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ACTIVAT) | Rezistență la sursă de scurgere statică2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(th) | Tensiune prag poarta | VGS=VDS, euD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Coeficient de temperatură | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Curent de scurgere scurgere-sursă | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Curent de scurgere poarta-sursa | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Încărcare totală de poartă (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Taxă poarta-sursă | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Încărcare de scurgere de poartă | --- | 10.4 | --- | ||
| Td(activat) | Timp de întârziere la pornire | VDD=30V, VGS=10V, RG=2,5Ω, euD=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Timpul de creștere | --- | 10 | --- | ||
| Td(off) | Timp de întârziere la oprire | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Toamna | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacitate de intrare | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Coss | Capacitate de ieșire | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Capacitate de transfer invers | --- | 20 | --- |
