WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L MOSFET WINSOK

produse

WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L MOSFET WINSOK

scurta descriere:


  • Număr de model:WSF6012
  • BVDSS:60V/-60V
  • RDSON:28mΩ/75mΩ
  • ID:20A/-15A
  • Canal:N&P-Canal
  • Pachet:TO-252-4L
  • Produs de vară:MOSFET-ul WSF6012 are o gamă de tensiuni de 60V și -60V, poate gestiona curenți de până la 20A și -15A, are o rezistență de 28mΩ și 75mΩ, dispune atât de N&P-Channel și este ambalat în TO-252-4L.
  • Aplicatii:Țigări electronice, încărcătoare fără fir, motoare, alimentare de rezervă, drone, asistență medicală, încărcătoare auto, controlere, electronice, electrocasnice și bunuri de larg consum.
  • Detaliile produsului

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generala

    WSF6012 MOSFET este un dispozitiv de înaltă performanță cu un design cu densitate mare de celule.Oferă o încărcare excelentă RDSON și gate, potrivită pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron.În plus, îndeplinește cerințele RoHS și Green Product și vine cu o garanție 100% EAS pentru funcționalitate și fiabilitate deplină.

    Caracteristici

    Tehnologie avansată de șanț cu densitate ridicată a celulelor, încărcare super scăzută, scădere excelentă a efectului CdV/dt, garanție EAS 100% și opțiuni pentru dispozitive ecologice.

    Aplicații

    Convertor Buck sincron la punctul de încărcare de înaltă frecvență, sistem de alimentare DC-DC în rețea, comutator de încărcare, țigări electronice, încărcare fără fir, motoare, surse de alimentare de urgență, drone, asistență medicală, încărcătoare auto, controlere, dispozitive digitale, electrocasnice mici, și electronice de larg consum.

    numărul material corespunzător

    AOS AOD603A,

    Parametri importanți

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    Canal N Canalul P
    VDS Tensiune drenare-sursă 60 -60 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±20 ±20 V
    ID@TC=25℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1 20 -15 A
    ID@TC=70℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1 15 -10 A
    IDM Curent de scurgere pulsat2 46 -36 A
    EAS Energie de avalanșă cu un singur impuls3 200 180 mJ
    IAS Curentul de avalanșă 59 -50 A
    PD@TC=25℃ Disiparea totală a puterii4 34.7 34.7 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 150 -55 până la 150
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare -55 până la 150 -55 până la 150
    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA 60 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=1mA --- 0,063 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=10V, ID=8A --- 28 37
    VGS=4,5V, ID=5A --- 37 45
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA 1 --- 2.5 V
    △VGS(th) Coeficientul de temperatură VGS(th). --- -5,24 --- mV/℃
    IDSS Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductanță directă VDS=5V, ID=8A --- 21 --- S
    Rg Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 3.0 4.5 Ω
    Qg Încărcare totală de poartă (4,5 V) VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A --- 12.6 20 nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 3.5 ---
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 6.3 ---
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=30V, VGS=4,5V,

    RG=3,3Ω, ID=1A

    --- 8 --- ns
    Tr Timpul de creștere --- 14.2 ---
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 24.6 ---
    Tf Toamna --- 4.6 ---
    Ciss Capacitate de intrare VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 670 --- pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 70 ---
    Crs Capacitate de transfer invers --- 35 ---

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă