WSM320N04G MOSFET WINSOK cu canal N 40V 320A TOLL-8L

produse

WSM320N04G MOSFET WINSOK cu canal N 40V 320A TOLL-8L

scurta descriere:


  • Număr de model:WSM320N04G
  • BVDSS:40V
  • RDSON:1,2 mΩ
  • ID:320A
  • Canal:canal N
  • Pachet:TOLL-8L
  • Produs de vară:MOSFET-ul WSM320N04G are o tensiune de 40V, un curent de 320A, o rezistență de 1,2mΩ, un canal N și un pachet TOLL-8L.
  • Aplicatii:Tigari electronice, incarcare wireless, drone, medicale, incarcare auto, controlere, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum.
  • Detaliu produs

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generală

    WSM320N04G este un MOSFET de înaltă performanță care utilizează un design de șanț și are o densitate de celule foarte mare. Are o încărcare excelentă RDSON și gate și este potrivit pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron. WSM320N04G îndeplinește cerințele RoHS și Green Product și este garantat să aibă 100% EAS și fiabilitate completă a funcționării.

    Caracteristici

    Tehnologia avansată Trench cu densitate ridicată a celulelor, oferind, de asemenea, o încărcare scăzută a porții pentru performanțe optime. În plus, se mândrește cu o scădere excelentă a efectului CdV/dt, o garanție EAS 100% și o opțiune ecologică.

    Aplicații

    Convertor Buck sincron la punctul de încărcare de înaltă frecvență, sistem de alimentare DC-DC în rețea, aplicație pentru instrumente electrice, țigări electronice, încărcare fără fir, drone, medicale, încărcare auto, controlere, produse digitale, electrocasnice mici și electronice de larg consum.

    Parametri importanți

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    VDS Tensiune drenare-sursă 40 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±20 V
    ID@TC=25℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1,7 320 A
    ID@TC=100℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V1,7 192 A
    IDM Curent de scurgere pulsat2 900 A
    EAS Energie de avalanșă cu un singur impuls3 980 mJ
    IAS Curentul de avalanșă 70 A
    PD@TC=25℃ Disiparea totală a puterii4 250 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 175
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare -55 până la 175
    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA 40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=1mA --- 0,050 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=10V, ID=25A --- 1.2 1.5
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=4,5V, ID=20A --- 1.7 2.5
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA 1.2 1.7 2.6 V
    △VGS(th) Coeficientul de temperatură VGS(th). --- -6,94 --- mV/℃
    IDSS Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductanță directă VDS=5V, ID=50A --- 160 --- S
    Rg Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Încărcare totală de poartă (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID=25A --- 130 --- nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 43 ---
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 83 ---
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. --- 30 --- ns
    Tr Timpul de creștere --- 115 ---
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 95 ---
    Tf Timp de toamnă --- 80 ---
    Ciss Capacitate de intrare VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 8100 --- pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 1200 ---
    Crs Capacitate de transfer invers --- 800 ---

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă