WSM340N10G MOSFET WINSOK cu canal N 100V 340A TOLL-8L

produse

WSM340N10G MOSFET WINSOK cu canal N 100V 340A TOLL-8L

scurta descriere:


  • Număr de model:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6 mΩ
  • ID:340A
  • Canal:canal N
  • Pachet:TOLL-8L
  • Produs de vară:Tensiunea MOSFET-ului WSM340N10G este de 100 V, curentul este de 340 A, rezistența este de 1,6 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este TOLL-8L.
  • Aplicatii:Echipamente medicale, drone, surse PD, surse LED, echipamente industriale etc.
  • Detaliu produs

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generală

    WSM340N10G este MOSFET-ul N-Ch de șanț cu cea mai înaltă performanță, cu o densitate extrem de ridicată a celulelor, care oferă RDSON excelent și încărcare de poartă pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron. WSM340N10G îndeplinește cerințele RoHS și Green Product, 100% EAS garantat cu fiabilitatea completă a funcțiilor aprobate.

    Caracteristici

    Tehnologie avansată Trench cu densitate mare a celulelor, încărcare super scăzută, scădere excelentă a efectului CdV/dt, garantat 100% EAS, dispozitiv verde disponibil.

    Aplicații

    Redresare sincronă, convertor DC/DC, comutator de sarcină, echipamente medicale, drone, surse de alimentare PD, surse de alimentare cu LED, echipamente industriale etc.

    Parametri importanți

    Evaluări maxime absolute

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    VDS Tensiune drenare-sursă 100 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±20 V
    ID@TC=25℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V 230 A
    IDM Curent de drenaj pulsat..TC=25°C 1150 A
    EAS Energie de avalanșă, impuls unic, L=0,5 mH 1800 mJ
    IAS Curent de avalanșă, un singur impuls, L=0,5 mH 120 A
    PD@TC=25℃ Disiparea totală a puterii 375 W
    PD@TC=100℃ Disiparea totală a puterii 187 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 175
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare 175

    Caracteristici electrice (TJ=25℃, dacă nu este specificat altfel)

    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=1mA --- 0,096 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Rezistență la sursă de scurgere statică VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) Coeficientul de temperatură VGS(th). --- -5,5 --- mV/℃
    IDSS Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Încărcare totală de poartă (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 80 ---
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 60 ---
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Timpul de creștere --- 50 ---
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 228 ---
    Tf Timp de toamnă --- 322 ---
    Ciss Capacitate de intrare VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz --- 13900 --- pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 6160 ---
    Crs Capacitate de transfer invers --- 220 ---

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă