WSM340N10G MOSFET WINSOK TOLL-8L, canal N, 100V 340A

WSM340N10G N-canal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Imagine prezentată

scurta descriere:

Număr de model:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Canal:canal N

Pachet:TOLL-8L

Produs de vară:Tensiunea MOSFET-ului WSM340N10G este de 100 V, curentul este de 340 A, rezistența este de 1,6 mΩ, canalul este N-canal și pachetul este TOLL-8L.

Aplicatii:Echipamente medicale, drone, surse PD, surse LED, echipamente industriale etc.

Trimiteți întrebarea PDF

Detaliu produs

Aplicație

Etichete de produs

Descriere generală

WSM340N10G este MOSFET-ul N-Ch de șanț cu cea mai înaltă performanță, cu o densitate extrem de ridicată a celulelor, care oferă RDSON excelent și încărcare de poartă pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron. WSM340N10G îndeplinește cerințele RoHS și Green Product, 100% EAS garantat cu fiabilitatea completă a funcțiilor aprobate.

Caracteristici

Tehnologie avansată Trench cu densitate mare a celulelor, încărcare super scăzută, scădere excelentă a efectului CdV/dt, garantat 100% EAS, dispozitiv verde disponibil.

Aplicații

Redresare sincronă, convertor DC/DC, comutator de sarcină, echipamente medicale, drone, surse de alimentare PD, surse de alimentare cu LED, echipamente industriale etc.

Parametri importanți

Evaluări maxime absolute

Simbol	Parametru	Evaluare	Unități
VDS	Tensiune drenare-sursă	100	V
VGS	Tensiune poarta-sursa	±20	V
ID@TC=25℃	Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Curent de scurgere continuă, VGS @ 10V	230	A
IDM	Curent de drenaj pulsat..TC=25°C	1150	A
EAS	Energie de avalanșă, impuls unic, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Curent de avalanșă, un singur impuls, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Disiparea totală a puterii	375	W
PD@TC=100℃	Disiparea totală a puterii	187	W
TSTG	Interval de temperatură de depozitare	-55 până la 175	℃
TJ	Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare	175	℃

Caracteristici electrice (TJ=25℃, dacă nu este specificat altfel)

Simbol	Parametru	Condiții	Min.	Tip.	Max.	Unitate
BVDSS	Tensiune de defalcare dren-sursă	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficientul de temperatură BVDSS	Referință la 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ACTIVAT)	Rezistență la sursă de scurgere statică	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Tensiune prag poarta	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Coeficientul de temperatură VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Curent de scurgere scurgere-sursă	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Curent de scurgere scurgere-sursă	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Curent de scurgere poarta-sursa	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Rezistența la poartă	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Încărcare totală de poartă (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Taxă poarta-sursă		---	80	---
Qgd	Încărcare de scurgere de poartă		---	60	---
Td(activat)	Timp de întârziere la pornire	VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Timpul de creștere		---	50	---
Td(off)	Timp de întârziere la oprire		---	228	---
Tf	Timp de toamnă		---	322	---
Ciss	Capacitate de intrare	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Capacitate de ieșire		---	6160	---
Crs	Capacitate de transfer invers		---	220	---