WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

produse

WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

scurta descriere:


  • Număr de model:WSP4099
  • BVDSS:-40V
  • RDSON:30mΩ
  • ID:-6,5A
  • Canal:Canal P dublu
  • Pachet:SOP-8
  • Produs de vară:MOSFET-ul WSP4099 are o tensiune de -40V, un curent de -6,5A, o rezistență de 30mΩ, un canal P dublu și vine într-un pachet SOP-8.
  • Aplicatii:Tigari electronice, incarcare wireless, motoare, drone, medicale, incarcatoare auto, controlere, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum.
  • Detaliu produs

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generală

    WSP4099 este un MOSFET P-ch puternic cu o densitate mare de celule. Oferă o încărcare excelentă RDSON și gate, făcându-l potrivit pentru majoritatea aplicațiilor de convertizor buck sincron. Îndeplinește standardele RoHS și GreenProduct și are 100% garanție EAS cu aprobare de fiabilitate completă a funcționării.

    Caracteristici

    Tehnologia avansată Trench cu densitate mare de celule, încărcare ultra-scăzută de poartă, dezintegrare excelentă a efectului CdV/dt și o garanție EAS 100% sunt toate caracteristicile dispozitivelor noastre ecologice care sunt ușor disponibile.

    Aplicații

    Convertor Buck sincron la punctul de încărcare de înaltă frecvență pentru MB/NB/UMPC/VGA, sistem de alimentare DC-DC în rețea, comutator de încărcare, țigări electronice, încărcare fără fir, motoare, drone, îngrijire medicală, încărcătoare auto, controlere, produse digitale , electrocasnice mici și electronice de larg consum.

    numărul material corespunzător

    PE FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

    Parametri importanți

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    VDS Tensiune drenare-sursă -40 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±20 V
    ID@TC=25℃ Curent de scurgere continuă, -VGS @ -10V1 -6,5 A
    ID@TC=100℃ Curent de scurgere continuă, -VGS @ -10V1 -4,5 A
    IDM Curent de scurgere pulsat2 -22 A
    EAS Energie de avalanșă cu un singur impuls3 25 mJ
    IAS Curentul de avalanșă -10 A
    PD@TC=25℃ Disiparea totală a puterii4 2.0 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 150
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare -55 până la 150
    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=-1mA --- -0,02 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=-10V, ID=-6,5A --- 30 38
    VGS=-4,5V, ID=-4,5A --- 46 62
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=-250uA -1,5 -2,0 -2,5 V
    △VGS(th) Coeficientul de temperatură VGS(th). --- 3,72 --- V/℃
    IDSS Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductanță directă VDS=-5V, ID=-4A --- 8 --- S
    Qg Încărcare totală de poartă (-4,5 V) VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A --- 7.5 --- nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 2.4 ---
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 3.5 ---
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω,

    ID=-1A,RL=20Ω

    --- 8.7 --- ns
    Tr Timpul de creștere --- 7 ---
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 31 ---
    Tf Timp de toamnă --- 17 ---
    Ciss Capacitate de intrare VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 668 --- pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 98 ---
    Crs Capacitate de transfer invers --- 72 ---

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă