WST8205 MOSFET WINSOK dublu canal N 20V 5.8A SOT-23-6L

produse

WST8205 MOSFET WINSOK dublu canal N 20V 5.8A SOT-23-6L

scurta descriere:


  • Număr de model:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • ID:5.8A
  • Canal:Canal N dublu
  • Pachet:SOT-23-6L
  • Produs de vară:WST8205 MOSFET funcționează la 20 de volți, susține un curent de 5,8 amperi și are o rezistență de 24 de miliohmi.MOSFET-ul constă dintr-un canal N dublu și este ambalat în SOT-23-6L.
  • Aplicatii:Electronice auto, lumini LED, audio, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum, placi de protectie.
  • Detaliile produsului

    Aplicație

    Etichete de produs

    Descriere generala

    WST8205 este un MOSFET N-Ch de înaltă performanță, cu o densitate de celule extrem de ridicată, oferind o încărcare excelentă RDSON și porți pentru majoritatea aplicațiilor de comutare a puterii mici și a sarcinii.WST8205 îndeplinește cerințele RoHS și Green Product cu aprobare completă de fiabilitate funcțională.

    Caracteristici

    Tehnologia noastră avansată încorporează caracteristici inovatoare care diferențiază acest dispozitiv de celelalte de pe piață.Cu șanțuri cu densitate mare de celule, această tehnologie permite o mai bună integrare a componentelor, ceea ce duce la o performanță și eficiență îmbunătățite. Un avantaj notabil al acestui dispozitiv este încărcarea sa extrem de scăzută.Ca urmare, necesită energie minimă pentru a comuta între stările de pornire și oprire, ceea ce duce la un consum redus de energie și o eficiență generală îmbunătățită.Această caracteristică de încărcare scăzută a porții o face o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită comutare de mare viteză și control precis. În plus, dispozitivul nostru excelează în reducerea efectelor Cdv/dt.Cdv/dt, sau rata de schimbare a tensiunii de scurgere la sursă în timp, poate provoca efecte nedorite, cum ar fi vârfuri de tensiune și interferențe electromagnetice.Prin minimizarea eficientă a acestor efecte, dispozitivul nostru asigură o funcționare fiabilă și stabilă, chiar și în medii solicitante și dinamice. În afară de priceperea sa tehnică, acest dispozitiv este și ecologic.Este proiectat având în vedere durabilitatea, luând în considerare factori precum eficiența energetică și longevitatea.Funcționând cu cea mai mare eficiență energetică, acest dispozitiv își minimizează amprenta de carbon și contribuie la un viitor mai ecologic. În rezumat, dispozitivul nostru combină tehnologia avansată cu șanțuri cu densitate mare a celulelor, încărcare extrem de scăzută a porții și reducerea excelentă a efectelor Cdv/dt.Cu designul său ecologic, nu numai că oferă performanțe și eficiență superioare, dar se aliniază și nevoii tot mai mari de soluții durabile în lumea de astăzi.

    Aplicații

    Sincron la punctul de încărcare de înaltă frecvență Comutare de putere mică pentru rețea MB/NB/UMPC/VGA Sistem de alimentare DC-DC, electronice auto, lumini LED, audio, produse digitale, electrocasnice mici, electronice de larg consum, plăci de protecție.

    numărul material corespunzător

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Parametri importanți

    Simbol Parametru Evaluare Unități
    VDS Tensiune drenare-sursă 20 V
    VGS Tensiune poarta-sursa ±12 V
    ID@Tc=25℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Curent de scurgere continuă, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Curent de scurgere pulsat2 16 A
    PD@TA=25℃ Disiparea totală a puterii3 2.1 W
    TSTG Interval de temperatură de depozitare -55 până la 150
    TJ Interval de temperatură a joncțiunii de funcționare -55 până la 150
    Simbol Parametru Condiții Min. Tip. Max. Unitate
    BVDSS Tensiune de defalcare dren-sursă VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficientul de temperatură BVDSS Referință la 25℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(ACTIVAT) Drenaj-Sursă Statică Rezistență la pornire2 VGS=4,5V, ID=5,5A --- 24 28
           
        VGS=2,5V, ID=3,5A --- 30 45  
    VGS(th) Tensiune prag poarta VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) Coeficientul de temperatură VGS(th).   --- -2,33 --- mV/℃
    IDSS Curent de scurgere scurgere-sursă VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Curent de scurgere poarta-sursa VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductanță directă VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Rezistența la poartă VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Încărcare totală de poartă (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Taxă poarta-sursă --- 1.4 2.0
    Qgd Încărcare de scurgere de poartă --- 2.2 3.2
    Td(activat) Timp de întârziere la pornire VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Timpul de creștere --- 34 63
    Td(off) Timp de întârziere la oprire --- 22 46
    Tf Toamna --- 9,0 18.4
    Ciss Capacitate de intrare VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Capacitate de ieșire --- 69 98
    Crs Capacitate de transfer invers --- 61 88

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Scrie mesajul tău aici și trimite-l nouă