Caracteristicile MOSFET-urilor îmbunătățite

PutereMOSFET este o relație de clasare a voorkomende van voedingsapparaten, "MOSFET" este de la Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Tranzistor" pentru aranjarea. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de function van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens word in okanaverde N-kanaal tip en Tipul P-kanaal.

Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) este ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Ghidul de informare a datelor definite RDS(ON) în relația cu beddrijfsspanning van de gate, VGS, în stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter pentru voldoende gate drive.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-urile parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. În veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in series schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), în procesul de selecție al MOSFET-ului, puteți vedea parametrii MOSFET alți parametrii MOSFET. În veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de corelatie tussen drainstroom și drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Pentru tipurile de condiții de sarcină de mai sus, după estimarea (sau măsurarea) tensiunii de funcționare mai mare și apoi lăsarea unei marje de 20% până la 30%, puteți specifica valoarea VDS a curentului nominal necesar a MOSFET-ului. Aici trebuie să spunem că, pentru a obține un cost mai puternic și caracteristici mai bune, se poate alege în seria de curent AC diode și inductori de curent în închiderea compoziției buclei de control de curent, eliberarea din energia cinetică a curentului inductiv pentru a menține MOSFET. curentul nominal este clar, curentul poate fi dedus. Dar aici trebuie să țină cont de doi parametri: unul este valoarea curentului în funcționare continuă și cea mai mare valoare a vârfului de curent cu un singur impuls (Spike și Surge), acești doi parametri pentru a decide cât de mult ar trebui să alegeți valoarea nominală a valoarea curentă.