Parametrii principali ai MOSFET-urilor și compararea cu triode

Tranzistor cu efect de câmp abreviat caMOSFET.Există două tipuri principale: tuburi cu efect de câmp de joncțiune și tuburi cu efect de câmp semiconductor din oxid de metal. MOSFET-ul este cunoscut și ca un tranzistor unipolar cu majoritatea purtătorilor implicați în conductivitate. Sunt dispozitive semiconductoare controlate de tensiune. Datorită rezistenței sale mari de intrare, zgomotului redus, consumului redus de energie și altor caracteristici, îl fac un concurent puternic pentru tranzistoarele bipolare și tranzistoarele de putere.

I. Principalii parametri ai MOSFET

1, parametri DC

Curentul de drenaj de saturație poate fi definit ca curentul de scurgere corespunzător când tensiunea dintre poartă și sursă este egală cu zero și tensiunea dintre dren și sursă este mai mare decât tensiunea de pinch-off.

Tensiune de întrerupere UP: UGS trebuie să reducă ID-ul la un curent mic atunci când UDS este sigur;

Tensiune de pornire UT: UGS este necesar pentru a aduce ID-ul la o anumită valoare atunci când UDS este sigur.

2、Parametrii AC

Transconductanță de joasă frecvență gm : Descrie efectul de control al tensiunii porții și sursei asupra curentului de scurgere.

Capacitate interpolară: capacitatea dintre cei trei electrozi ai MOSFET-ului, cu cât valoarea este mai mică, cu atât performanța este mai bună.

3, Parametri limită

Drenaj, tensiune de defectare a sursei: atunci când curentul de scurgere crește brusc, va produce defectarea avalanșă atunci când UDS.

Tensiunea de defalcare a porții: tubul cu efect de câmp de joncțiune, funcționare normală, poarta și sursa între joncțiunea PN în starea de polarizare inversă, curentul este prea mare pentru a produce o defecțiune.

II. Caracteristici aleMOSFET-uri

MOSFET are o funcție de amplificare și poate forma un circuit amplificat. În comparație cu o triodă, are următoarele caracteristici.

(1) MOSFET-ul este un dispozitiv controlat de tensiune, iar potențialul este controlat de UGS;

(2) Curentul la intrarea MOSFET este extrem de mic, astfel încât rezistența sa de intrare este foarte mare;

(3) Stabilitatea sa la temperatură este bună deoarece folosește purtători majoritari pentru conductivitate;

(4) Coeficientul de amplificare a tensiunii al circuitului său de amplificare este mai mic decât cel al unei triode;

(5) Este mai rezistent la radiații.

Treilea,MOSFET și compararea tranzistorilor

(1) Sursa MOSFET, poarta, scurgerea și sursa triodă, baza, polul punctului de referință corespunde rolului de similar.

(2) MOSFET este un dispozitiv de curent controlat de tensiune, coeficientul de amplificare este mic, capacitatea de amplificare este slabă; trioda este un dispozitiv de tensiune controlat de curent, capacitatea de amplificare este puternică.

(3) Poarta MOSFET practic nu ia curent; și lucrul cu triodă, baza va absorbi un anumit curent. Prin urmare, rezistența de intrare a porții MOSFET este mai mare decât rezistența de intrare a triodei.

(4) Procesul conductiv al MOSFET are participarea politronului, iar trioda are participarea a două tipuri de purtători, politron și oligotron, iar concentrația sa de oligotron este foarte afectată de temperatură, radiații și alți factori, prin urmare, MOSFET are stabilitate la temperatură și rezistență la radiații mai bune decât tranzistorul. MOSFET-ul trebuie selectat atunci când condițiile de mediu se schimbă foarte mult.

(5) Când MOSFET este conectat la metalul sursă și la substrat, sursa și scurgerea pot fi schimbate, iar caracteristicile nu se schimbă mult, în timp ce atunci când colectorul și emițătorul tranzistorului sunt schimbate, caracteristicile sunt diferite și valoarea β este redusă.

(6) Cifra de zgomot a MOSFET este mică.

(7) MOSFET-ul și trioda pot fi compuse dintr-o varietate de circuite amplificatoare și circuite de comutare, dar primul consumă mai puțină energie, stabilitate termică ridicată, gamă largă de tensiune de alimentare, deci este utilizat pe scară largă la scară largă și ultra-larg- circuite integrate la scară.

(8) Rezistența la pornire a triodei este mare, iar rezistența la pornire a MOSFET-ului este mică, astfel încât MOSFET-urile sunt în general utilizate ca comutatoare cu eficiență mai mare.