MOSFET, cunoscut sub numele de tranzistor cu efect de câmp cu oxid de metal și semiconductor, este un dispozitiv electronic utilizat pe scară largă care aparține unui tip de tranzistor cu efect de câmp (FET). Structura principală aun MOSFETconstă dintr-o poartă metalică, un strat izolator de oxizi (de obicei dioxid de siliciu SiO₂) și un strat semiconductor (de obicei siliciu Si). Principiul de funcționare este controlul tensiunii de poartă pentru a modifica câmpul electric de la suprafață sau din interiorul semiconductorului, controlând astfel curentul dintre sursă și scurgere.
MOSFET-uripot fi clasificate în două tipuri principale: N-canalMOSFET-uri(NMOS) și canalul PMOSFET-uri(PMOS). În NMOS, când tensiunea de poartă este pozitivă față de sursă, pe suprafața semiconductoarelor se formează canale conductoare de tip n, permițând electronilor să curgă de la sursă la dren. În PMOS, când tensiunea de poartă este negativă în raport cu sursa, pe suprafața semiconductoarelor se formează canale conductoare de tip p, permițând găurilor să curgă de la sursă la dren.
MOSFET-uriau multe avantaje, cum ar fi impedanță mare de intrare, zgomot redus, consum redus de energie și ușurință de integrare, astfel încât sunt utilizate pe scară largă în circuite analogice, circuite digitale, managementul puterii, electronică de putere, sisteme de comunicații și alte domenii. În circuitele integrate,MOSFET-urisunt unitățile de bază care alcătuiesc circuitele logice CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Circuitele CMOS combină avantajele NMOS și PMOS și se caracterizează prin consum redus de energie, viteză mare și integrare ridicată.
In plus,MOSFET-uripot fi clasificate în tip de îmbunătățire și tip de epuizare, în funcție de faptul dacă canalele lor conductoare sunt preformate. Tip de îmbunătățireMOSFETîn tensiunea de poartă este zero atunci când canalul nu este conductiv, trebuie să se aplice o anumită tensiune de poartă pentru a forma un canal conductor; în timp ce tipul de epuizareMOSFETîn tensiunea de poartă este zero atunci când canalul este deja conductiv, tensiunea de poartă este utilizată pentru a controla conductivitatea canalului.
În concluzie,MOSFETeste un tranzistor cu efect de câmp bazat pe o structură semiconductoare de oxid metalic, care reglează curentul dintre sursă și scurgere prin controlul tensiunii de poartă și are o gamă largă de aplicații și o valoare tehnică importantă.
Ora postării: 12-sept-2024
