Cum funcționează MOSFET-urile?

1, MOSFETintroducere

FieldEffect Transistor abreviere (FET)) titlu MOSFET. de către un număr mic de purtători pentru a participa la conducerea căldurii, cunoscută și sub numele de tranzistor multipolar. Aparține mecanismului semi-superconductor de tip de control al tensiunii. Rezistența de ieșire este mare (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), zgomot redus, consum redus de energie, gamă statică, ușor de integrat, fără a doua apariție a fenomenului, sarcina de asigurare a mării și alte avantaje, sa schimbat acum tranzistorul bipolar și tranzistorul de joncțiune de putere a colaboratorilor puternici.

 

2, caracteristici MOSFET

1, MOSFET este un dispozitiv de control al tensiunii, acesta prin ID-ul de control VGS (tensiune sursă de poartă) (drenaj DC);

2, MOSFET-urilePolul DC de ieșire este mic, astfel încât rezistența de ieșire este mare.

3, este aplicarea unui număr mic de purtători pentru a conduce căldura, astfel încât el are o măsură mai bună de stabilitate;

4, constă din calea de reducere a coeficientului de reducere electrică este mai mică decât trioda constă din calea de reducere a coeficientului de reducere;

5, MOSFET capacitatea anti-iradiere;

6, din cauza absenței unei activități defectuoase a dispersiei oligonului cauzată de particulele de zgomot împrăștiate, deci zgomotul este scăzut.

 

3, principiul sarcinii MOSFET

MOSFET-urileprincipiul de funcționare într-o singură propoziție, este „scurgerea - sursă între ID care curge prin canalul pentru poartă și canalul dintre joncțiunea pn formată prin polarizarea inversă a tensiunii porții ID master”, pentru a fi precis, ID curge prin lățime a traseului, adică aria secțiunii transversale a canalului, este modificarea polarizării inverse a joncțiunii pn, care produce un strat de epuizare Motivul controlului variației extins. În marea nesaturată a VGS=0, deoarece expansiunea stratului de tranziție nu este foarte mare, în funcție de adăugarea câmpului magnetic al VDS între sursa de scurgere, unii electroni din marea sursă sunt îndepărtați de către drenaj, adică există o activitate DC ID de la dren la sursă. Stratul moderat mărit de la poartă până la scurgere face ca un întreg corp al canalului să formeze un tip blocant, ID plin. Numiți acest formular un pinch-off. Simbolizarea stratului de tranziție către canalul unei întregi obstacole, mai degrabă decât alimentarea curentă este întreruptă.

 

Deoarece nu există o mișcare liberă a electronilor și a găurilor în stratul de tranziție, are proprietăți aproape izolatoare în forma ideală și este dificil să curgă curentul general. Dar apoi câmpul electric dintre dren - sursă, de fapt, cele două straturi de tranziție contactează drenajul și polul de poartă lângă partea inferioară, deoarece câmpul electric de deriva trage electronii de mare viteză prin stratul de tranziție. Intensitatea câmpului de deriva este aproape constantă producând plenitudinea scenei ID.

 

Circuitul folosește o combinație între un MOSFET cu canal P îmbunătățit și un MOSFET cu canal N îmbunătățit. Când intrarea este scăzută, MOSFET-ul canalului P conduce și ieșirea este conectată la borna pozitivă a sursei de alimentare. Când intrarea este ridicată, MOSFET-ul cu canal N conduce și ieșirea este conectată la masa sursei de alimentare. În acest circuit, MOSFET-ul cu canal P și MOSFET-ul cu canal N funcționează întotdeauna în stări opuse, cu intrările și ieșirile lor de fază inversate.