În programul de proiectare a comutatorului de alimentare și a altor sisteme de alimentare cu energie, proiectanții de programe vor acorda mai multă atenție unui număr de parametri majori aiMOSFET, cum ar fi rezistor pornit-oprit, tensiune de operare mai mare, flux de putere mai mare. Deși acest element estecritic, ținând cont de locul necorespunzător, va face ca circuitul de alimentare să nu funcționeze corect, dar, de fapt, acesta este finalizat doar primul pas,MOSFET-urile parametrii paraziți proprii este considerat a fi lucrul important pentru a pune în pericol circuitul de alimentare.
Conducerea imediată a MOSFET-urilor cu circuite integrate de alimentare
Un circuit de driver MOSFET bun are următoarele prevederi:
(1) În momentul în care comutatorul este activat, circuitul de driver ar trebui să poată scoate un curent foarte mare, astfel încât tensiunea de operare între poli sursă de poartă MOSFET să crească rapid la valoarea necesară, pentru a se asigura că comutatorul poate fi rotit pornește rapid și nu vor exista oscilații de înaltă frecvență pe marginea ascendentă.
(2) perioada de pornire și oprire a pornirii, circuitul de acționare poate asigura că tensiunea de funcționare interpolară a sursei porții MOSFET este menținută pentru o lungă perioadă de timp și o conducere eficientă.
(3) Închideți un moment al circuitului de acționare, poate furniza un canal de impedanță scăzută pentru tensiunea de funcționare a capacității sursei porții MOSFET între scurgerea rapidă, pentru a vă asigura că comutatorul poate fi oprit rapid.
(4) Construcție simplă și fiabilă a circuitelor de acționare cu uzură redusă.
(5) În funcție de situația specifică să se efectueze protecția.
În sursa de alimentare a modulului de control, cea mai comună este IC-ul de alimentare care acționează direct MOSFET-ul. aplicație, ar trebui să acorde o atenție la unitatea mai mare cea mai mare valoare a fluxului de putere, capacitatea de distribuție MOSFET 2 parametri principali. Capacitatea unității IC de putere, dimensiunea capacității de distribuție MOS, valoarea rezistenței rezistenței de antrenare vor pune în pericol rata de comutare a puterii MOSFET. Dacă selecția capacității de distribuție MOSFET este relativ mare, capacitatea de unitate internă IC de alimentare nu este suficientă, trebuie să fie în circuitul de acționare pentru a îmbunătăți capacitatea de acționare, aplicați adesea circuitul de alimentare cu pol totem pentru a îmbunătăți capacitatea de unitate de alimentare IC. .
Ora postării: 25-iul-2024
