Idei pentru a rezolva generarea serioasă de căldură a MOSFET-urilor

Nu știu dacă ați găsit o problemă, MOSFET acționează ca un echipament de alimentare cu comutare în timpul funcționării, uneori căldură serioasă, doresc să rezolve problema de încălzireMOSFET, mai întâi trebuie să stabilim care sunt cauzele, așa că trebuie să testăm, pentru a afla unde este problema. Prin descoperirea luiîncălzire MOS problema, mergeți să alegeți testul corect punct cheie, nu este în concordanță cu analiza, care este cheia pentru rezolvarea problemei.

În testul de alimentare, în plus față de măsurarea circuitului de control al celorlalte dispozitive ale tensiunii pin ca grele, urmată de un osciloscop pentru a măsura forma de undă de tensiune relevantă. Când mergem să determinăm dacă sursa de comutare nu funcționează corect, unde se măsoară sursa de alimentare poate reflecta starea de lucru nu este normală, ieșirea controlerului PWM nu este normală, ciclul de lucru și amplitudinea impulsului nu sunt normale, comutarea MOSFET este nu funcționează corect, inclusiv partea secundară și primară a transformatorului și ieșirea feedback-ului nu este rezonabilă.

Dacă punctul de testare este o alegere rezonabilă este foarte important, alegerea corectă poate fi măsurători sigure și fiabile, dar ne permite și depanarea rapidă pentru a afla cauza.

În general, cauza încălzirii MOSFET este:

1: Tensiunea de antrenare a polului G nu este suficientă.

2: Curentul Id prin scurgere și sursă este prea mare.

3: Frecvența de conducere este prea mare.

Deci, punctul central al testului în MOSFET, testarea precisă a muncii sale, care este rădăcina problemei.

Trebuie remarcat faptul că atunci când trebuie să folosim testul osciloscopului, ar trebui să acordăm o atenție deosebită creșterii treptate a tensiunii de intrare, dacă constatăm că tensiunea de vârf sau curentul dincolo de domeniul nostru de proiectare, de data aceasta trebuie să acordăm atenție încălzirea MOSFET-ului, dacă există o anomalie, ar trebui să opriți imediat sursa de alimentare, depanând acolo unde se află problema, pentru a preveni deteriorarea MOSFET-ului.