MOSFET-urile (tranzistor cu efect de câmp metalic-oxid-semiconductor) sunt adesea considerate dispozitive complet controlate. Acest lucru se datorează faptului că starea de funcționare (pornit sau oprit) a MOSFET este complet controlată de tensiunea porții (Vgs) și nu depinde de curentul de bază ca în cazul unui tranzistor bipolar (BJT).
Într-un MOSFET, tensiunea de poartă Vgs determină dacă se formează un canal conductor între sursă și scurgere, precum și lățimea și conductibilitatea canalului conductor. Când Vgs depășește tensiunea de prag Vt, se formează canalul conductor și MOSFET-ul intră în starea de pornire; când Vgs scade sub Vt, canalul conductor dispare și MOSFET-ul este în starea de întrerupere. Acest control este controlat pe deplin, deoarece tensiunea porții poate controla independent și precis starea de funcționare a MOSFET-ului fără a se baza pe alți parametri de curent sau tensiune.
În schimb, starea de funcționare a dispozitivelor semicontrolate (de exemplu, tiristoare) nu este afectată doar de tensiunea sau curentul de control, ci și de alți factori (de exemplu, tensiunea anodului, curentul etc.). Ca rezultat, dispozitivele complet controlate (de exemplu, MOSFET-urile) oferă de obicei performanțe mai bune în ceea ce privește precizia și flexibilitatea controlului.
Pe scurt, MOSFET-urile sunt dispozitive complet controlate a căror stare de funcționare este complet controlată de tensiunea porții și au avantajele unei precizii ridicate, flexibilității ridicate și consumului redus de energie.
Ora postării: 20-sept-2024
