MOSFET-ul invertorului funcționează într-o stare de comutare, iar curentul care circulă prin MOSFET este foarte mare. Dacă MOSFET-ul nu este selectat corect, amplitudinea tensiunii de antrenare nu este suficient de mare sau disiparea căldurii circuitului nu este bună, poate provoca încălzirea MOSFET-ului.
1, încălzirea invertorului MOSFET este gravă, ar trebui să acorde atențieMOSFETselecţie
MOSFET în invertor în starea de comutare, necesită, în general, un curent de scurgere cât mai mare posibil, o rezistență la pornire cât mai mică posibil, astfel încât să puteți reduce căderea de tensiune de saturație a MOSFET, reducând astfel MOSFET-ul deoarece consumul, reduceți căldură.
Verificați manualul MOSFET, vom descoperi că cu cât este mai mare valoarea tensiunii de rezistență a MOSFET-ului, cu atât este mai mare rezistența acestuia la pornire, iar cei cu curent de drenaj mare, valoare scăzută a tensiunii de rezistență a MOSFET-ului, rezistența sa este în general sub zeci de miliohmi.
Presupunând că curentul de sarcină de 5A, alegem invertorul utilizat în mod obișnuit MOSFETRU75N08R și valoarea tensiunii de rezistență de 500V 840 poate fi, curentul lor de scurgere este de 5A sau mai mult, dar rezistența la pornire a celor două MOSFET-uri este diferită, conduce același curent , diferența lor de căldură este foarte mare. Rezistența la pornire a 75N08R este de numai 0,008Ω, în timp ce rezistența la pornire de 840 Rezistența la pornire a lui 75N08R este de numai 0,008Ω, în timp ce rezistența la pornire a lui 840 este de 0,85Ω. Când curentul de sarcină care curge prin MOSFET este de 5 A, căderea de tensiune a MOSFET-ului 75N08R este de numai 0,04 V, iar consumul de MOSFET al MOSFET este de numai 0,2 W, în timp ce căderea de tensiune a MOSFET-ului 840 poate fi de până la 4,25 W, iar consumul de MOSFET este de până la 21,25 W. Din aceasta, se poate observa că rezistența la pornire a MOSFET este diferită de rezistența la pornire a 75N08R, iar generarea lor de căldură este foarte diferită. Cu cât este mai mică rezistența la pornire a MOSFET-ului, cu atât mai bine, rezistența la pornire a MOSFET-ului, tubul MOSFET sub un consum mare de curent este destul de mare.
2, circuitul de conducere al amplitudinii tensiunii de conducere nu este suficient de mare
MOSFET este un dispozitiv de control al tensiunii, dacă doriți să reduceți consumul de tuburi MOSFET, să reduceți căldura, amplitudinea tensiunii de antrenare a porții MOSFET ar trebui să fie suficient de mare, să conduceți marginea pulsului la abrupt, poate reduceMOSFETscăderea tensiunii tubului, reduce consumul tubului MOSFET.
3, disiparea căldurii MOSFET nu este o cauză bună
Încălzirea MOSFET cu invertor este serioasă. Deoarece consumul de tub MOSFET al invertorului este mare, lucrul necesită, în general, o suprafață exterioară suficient de mare a radiatorului, iar radiatorul extern și MOSFET-ul însuși dintre radiator ar trebui să fie în contact strâns (în general este necesar să fie acoperit cu termoconductiv). grăsime siliconică), dacă radiatorul extern este mai mic sau dacă MOSFET-ul în sine nu este suficient de aproape de contactul radiatorului, poate duce la încălzirea MOSFET.
Invertor MOSFET de încălzire serioasă există patru motive pentru rezumat.
Încălzirea ușoară MOSFET este un fenomen normal, dar încălzirea este gravă și chiar duce la arderea MOSFET-ului, există următoarele patru motive:
1, problema proiectării circuitelor
Lăsați MOSFET-ul să funcționeze într-o stare de funcționare liniară, mai degrabă decât în starea circuitului de comutare. Este, de asemenea, una dintre cauzele încălzirii MOSFET. Dacă N-MOS face comutarea, tensiunea de nivel G trebuie să fie cu câțiva V mai mare decât sursa de alimentare pentru a fi complet pornită, în timp ce P-MOS este opusul. Nu este complet deschis și căderea de tensiune este prea mare, rezultând un consum de energie, impedanța DC echivalentă este mai mare, căderea de tensiune crește, deci crește și U * I, pierderea înseamnă căldură. Aceasta este cea mai evitată eroare în proiectarea circuitului.
2, o frecvență prea mare
Motivul principal este că, uneori, urmărirea excesivă a volumului, rezultând o frecvență crescută,MOSFETpierderi pe mare, astfel încât căldura este, de asemenea, crescută.
3, design termic insuficient
Dacă curentul este prea mare, valoarea nominală a curentului MOSFET necesită, de obicei, o bună disipare a căldurii. Deci ID-ul este mai mic decât curentul maxim, se poate încălzi prost și are nevoie de suficient radiator auxiliar.
4, selecția MOSFET este greșită
Aprecierea greșită a puterii, rezistența internă MOSFET nu este pe deplin luată în considerare, ceea ce duce la creșterea impedanței de comutare.
Ora postării: 19.04.2024
