Acesta este un ambalatMOSFETsenzor piroelectric infrarosu. Cadrul dreptunghiular este fereastra de detectare. Pinul G este terminalul de masă, pinul D este drenajul MOSFET intern, iar pinul S este sursa MOSFET internă. În circuit, G este conectat la masă, D este conectat la sursa de alimentare pozitivă, semnalele infraroșu sunt introduse de la fereastră, iar semnalele electrice sunt scoase de la S.
Poarta judecatii G
Driverul MOS joacă în principal rolul de modelare a formei de undă și de îmbunătățire a conducerii: Dacă forma de undă a semnalului G aMOSFETnu este suficient de abruptă, va cauza o cantitate mare de pierderi de putere în timpul etapei de comutare. Efectul său secundar este de a reduce eficiența conversiei circuitului. MOSFET-ul va avea febră severă și va fi ușor deteriorat de căldură. Există o anumită capacitate între MOSFETGS. , dacă capacitatea de conducere a semnalului G este insuficientă, aceasta va afecta grav timpul de salt al formei de undă.
Scurtcircuitați stâlpul GS, selectați nivelul R×1 al multimetrului, conectați cablul de testare negru la polul S și cel roșu la polul D. Rezistența ar trebui să fie de la câțiva Ω la mai mult de zece Ω. Dacă se constată că rezistența unui anume știft și a celor doi pini ai săi este infinită, și este încă infinită după schimbarea cablurilor de testare, se confirmă că acest știft este polul G, deoarece este izolat de ceilalți doi pini.
Determinați sursa S și scurgerea D
Setați multimetrul la R×1k și măsurați rezistența dintre cei trei pini, respectiv. Utilizați metoda schimbului de cabluri de testare pentru a măsura rezistența de două ori. Cel cu o valoare mai mică a rezistenței (în general câteva mii Ω până la mai mult de zece mii Ω) este rezistența directă. În acest moment, cablul de testare negru este polul S, iar cablul de testare roșu este conectat la polul D. Din cauza condițiilor diferite de testare, valoarea măsurată RDS(on) este mai mare decât valoarea tipică dată în manual.
DespreMOSFET
Tranzistorul are un canal de tip N, așa că se numește canal NMOSFET, sauNMOS. Există, de asemenea, FET MOS cu canal P (PMOS), care este un PMOSFET compus dintr-un BACKGATE de tip N ușor dopat și o sursă și scurgere de tip P.
Indiferent de MOSFET de tip N sau de tip P, principiul său de funcționare este în esență același. MOSFET controlează curentul la scurgerea terminalului de ieșire prin tensiunea aplicată la poarta terminalului de intrare. MOSFET este un dispozitiv controlat de tensiune. Controlează caracteristicile dispozitivului prin tensiunea aplicată porții. Nu provoacă efectul de stocare a sarcinii cauzat de curentul de bază atunci când un tranzistor este utilizat pentru comutare. Prin urmare, în schimbarea aplicațiilor,MOSFET-uriar trebui să comute mai repede decât tranzistoarele.
FET-ul își primește numele și de la faptul că intrarea sa (numită poartă) afectează curentul care curge prin tranzistor prin proiectarea unui câmp electric pe un strat izolator. De fapt, nu trece curent prin acest izolator, astfel încât curentul GATE al tubului FET este foarte mic.
Cel mai comun FET folosește un strat subțire de dioxid de siliciu ca izolator sub GATE.
Acest tip de tranzistor se numește tranzistor cu semiconductor de oxid de metal (MOS) sau tranzistor cu efect de câmp cu semiconductor de oxid de metal (MOSFET). Deoarece MOSFET-urile sunt mai mici și mai eficiente din punct de vedere energetic, ele au înlocuit tranzistoarele bipolare în multe aplicații.
Ora postării: 10-11-2023
