La proiectarea unei surse de alimentare comutatoare sau a unui circuit de acţionare a motorului utilizândMOSFET-uri, sunt considerați în general factori precum rezistența la pornire, tensiunea maximă și curentul maxim al MOS.
Tuburile MOSFET sunt un tip de FET care poate fi fabricat fie ca tip de îmbunătățire, fie ca tip de epuizare, canal P sau canal N pentru un total de 4 tipuri. NMOSFET-urile de îmbunătățire și PMOSFET-urile de îmbunătățire sunt în general utilizate, iar acestea două sunt de obicei menționate.
Aceste două sunt mai frecvent utilizate este NMOS. motivul este că rezistența conductivă este mică și ușor de fabricat. Prin urmare, NMOS este utilizat de obicei în aplicațiile de alimentare cu comutare și de acționare a motorului.
În interiorul MOSFET, un tiristor este plasat între dren și sursă, ceea ce este foarte important în conducerea sarcinilor inductive, cum ar fi motoarele, și este prezent doar într-un singur MOSFET, nu de obicei într-un cip de circuit integrat.
Capacitatea parazită există între cei trei pini ai MOSFET, nu că avem nevoie de ea, ci din cauza limitărilor procesului de fabricație. Prezența capacității parazitare o face mai greoaie atunci când se proiectează sau se selectează un circuit de driver, dar nu poate fi evitată.
Principalii parametri aiMOSFET
1, tensiune deschisă VT
Tensiune deschisă (cunoscută și sub denumirea de tensiune de prag): astfel încât tensiunea de poartă necesară pentru a începe să formeze un canal conductor între sursa S și drenajul D; MOSFET standard cu canal N, VT este de aproximativ 3 ~ 6V; prin îmbunătățirea procesului, valoarea MOSFET VT poate fi redusă la 2 ~ 3V.
2, rezistență de intrare DC RGS
Raportul dintre tensiunea adăugată între polul sursei de poartă și curentul de poartă Această caracteristică este uneori exprimată de curentul de poartă care curge prin poartă, RGS-ul MOSFET poate depăși cu ușurință 1010Ω.
3. Defectarea sursei de scurgere a tensiunii BVDS.
În condiția VGS = 0 (îmbunătățit), în procesul de creștere a tensiunii de scurgere-sursă, ID crește brusc atunci când VDS se numește tensiunea de defalcare a sursei de scurgere BVDS, ID crește brusc din două motive: (1) avalanșă defalcarea stratului de epuizare din apropierea drenului, (2) defalcarea penetrării între polii de dren și sursă, unele MOSFET, care au o lungime mai mică a șanțului, măresc VDS, astfel încât stratul de dren din regiunea de dren să fie extins în regiunea sursă, făcând lungimea canalului este zero, adică pentru a produce o penetrare a sursei de scurgere, penetrare, majoritatea purtătorilor din regiunea sursă vor fi atrași direct de câmpul electric al stratului de epuizare în regiunea de scurgere, rezultând un ID mare .
4, poarta sursă de rupere tensiune BVGS
Când tensiunea de poartă este crescută, VGS atunci când IG este crescută de la zero se numește tensiunea de rupere a sursei de poartă BVGS.
5、Transconductanță de joasă frecvență
Când VDS este o valoare fixă, raportul dintre microvariația curentului de scurgere și microvariația tensiunii sursei porții care provoacă schimbarea se numește transconductanță, care reflectă capacitatea tensiunii sursei porții de a controla curentul de scurgere și este un parametru important care caracterizează capacitatea de amplificare aMOSFET.
6, on-rezistenta RON
Rezistența RON arată efectul VDS asupra ID, este inversul pantei liniei tangente a caracteristicilor drenului la un anumit punct, în regiunea de saturație, ID aproape nu se schimbă cu VDS, RON este un foarte mare valoare, în general de la zeci de kilo-Ohmi la sute de kilo-Ohmi, deoarece în circuitele digitale, MOSFET-urile funcționează adesea în starea conductivului VDS = 0, deci în acest moment, rezistența la pornire RON poate fi aproximată prin originea RON pentru a aproxima, pentru MOSFET general, valoarea RON în câteva sute de ohmi.
7, capacitate interpolară
Capacitatea interpolară există între cei trei electrozi: capacitatea sursei de poartă CGS, capacitatea de scurgere a porții CGD și capacitatea sursei de scurgere CDS-CGS și CGD este de aproximativ 1 ~ 3pF, CDS este de aproximativ 0,1 ~ 1pF.
8、Factor de zgomot de joasă frecvență
Zgomotul este cauzat de nereguli în deplasarea transportatorilor în conductă. Datorită prezenței sale, la ieșire apar variații neregulate de tensiune sau curent, chiar dacă nu există niciun semnal furnizat de amplificator. Performanța de zgomot este de obicei exprimată în termeni de factor de zgomot NF. Unitatea este decibeli (dB). Cu cât valoarea este mai mică, cu atât tubul produce mai puțin zgomot. Factorul de zgomot de joasă frecvență este factorul de zgomot măsurat în domeniul de joasă frecvență. Factorul de zgomot al unui tub cu efect de câmp este de aproximativ câțiva dB, mai mic decât cel al unei triode bipolare.
Ora postării: Apr-24-2024
