Care este principiul de funcționare al MOSFET?

Titlul MOSFET (abreviere FieldEffect Transistor (FET)).MOSFET. de un număr mic de purtători pentru a participa la conductibilitatea termică, cunoscută și sub numele de tranzistor de joncțiune multipolar. Este clasificat ca un dispozitiv semisuperconductor controlat de tensiune. Rezistența de ieșire existentă este mare (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), zgomot redus, consum redus de energie, gamă statică, ușor de integrat, fără a doua apariție a fenomenului, sarcina de asigurare a mării late și alte avantaje, a schimbat acum tranzistor de joncțiune bipolară și tranzistor de joncțiune de putere a colaboratorilor puternici.

Caracteristicile MOSFET

În primul rând: MOSFET este un dispozitiv de stăpânire a tensiunii, acesta prin VGS (tensiune sursă de poartă) la ID-ul principal (drenaj DC);

Doilea:MOSFET-urileDC de ieșire este foarte mic, astfel încât rezistența sa de ieșire este foarte mare.

Trei: se aplică câțiva purtători pentru a conduce căldura și astfel are o măsură mai bună a stabilității;

Patru: constă dintr-o cale redusă de reducere electrică a coeficienților mici să fie mai mică decât tranzistorul constă într-o cale redusă de reducere electrică a coeficienților mici;

În al cincilea rând: puterea anti-iradiere MOSFET;

Șase: deoarece nu există o activitate defectuoasă a dispersiei minoritare cauzată de particulele de zgomot împrăștiate, deoarece zgomotul este scăzut.

Principiul sarcinii MOSFET

MOSFETprincipiul sarcinii într-o singură propoziție, adică „drenaj - sursă mers prin canalul dintre ID, cu electrodul și canalul dintre pn construit într-o tensiune inversă a electrodului pentru a stăpâni ID-ul”. Mai precis, amplitudinea ID de-a lungul circuitului, adică zona secțiunii transversale a canalului, este prin variația contrapolarizată a joncțiunii pn, apariția stratului de epuizare pentru a extinde variația de stăpânire a motivului. În marea nesaturată a VGS=0, expansiunea stratului de tranziție indicat nu este foarte mare, deoarece, în funcție de câmpul magnetic al VDS adăugat între sursa de scurgere, unii electroni din marea sursă sunt atrași de scurgere. , adică există o activitate DC ID de la dren la sursă. Stratul moderat care se extinde de la poarta la scurgere va forma un tip de blocaj al întregului corp al canalului, ID plin. Faceți referire la acest model ca pinch-off. Acest lucru simbolizează faptul că stratul de tranziție obstrucționează un întreg canal și nu înseamnă că DC este întrerupt.

În stratul de tranziție, deoarece nu există o auto-mișcare a electronilor și a găurilor, în forma reală a caracteristicilor izolatoare ale existenței curentului general continuu este dificil de mutat. Cu toate acestea, câmpul magnetic dintre dren - sursă, în practică, cele două straturi de tranziție contact dren și polul poarta jos din stânga, deoarece câmpul magnetic de deriva trage electronii de mare viteză prin stratul de tranziție. Deoarece puterea câmpului magnetic de deriva pur și simplu nu schimbă plenitudinea scenei ID. În al doilea rând, VGS la schimbarea poziției negative, astfel încât VGS = VGS (off), apoi stratul de tranziție schimbă în mare măsură forma de acoperire a întregii mări. Și câmpul magnetic al VDS se adaugă în mare parte la stratul de tranziție, câmpul magnetic care trage electronul în poziția de deriva, atâta timp cât aproape de polul sursă al tuturor foarte scurte, ceea ce este mai mult încât puterea DC nu este capabil să stagneze.