Metoda de producție a circuitului de comandă MOSFET de mare putere

Există două soluții principale:

Una este utilizarea unui cip driver dedicat pentru a conduce MOSFET-ul sau utilizarea fotocuplelor rapide, tranzistorii constituie un circuit pentru a conduce MOSFET-ul, dar primul tip de abordare necesită furnizarea unei surse de alimentare independente; celălalt tip de transformator de impulsuri pentru a conduce MOSFET, iar în circuitul de acționare a impulsurilor, cum să îmbunătățiți frecvența de comutare a circuitului de acționare pentru a crește capacitatea de conducere, pe cât posibil, pentru a reduce numărul de componente, este necesitatea urgentă pentru a rezolvaProbleme curente.

Primul tip de schemă de acționare, semi-bridge necesită două surse de alimentare independente; full-bridge necesită trei surse de alimentare independente, atât half-bridge, cât și full-bridge, prea multe componente, care nu conduc la reducerea costurilor.

Al doilea tip de program de conducere, precum și brevetul este cel mai apropiat stadiu al tehnicii pentru denumirea invenției „o mare putereMOSFET brevetul de circuit de antrenare" (numărul cererii 200720309534. 8), brevetul adaugă doar o rezistență de descărcare pentru a elibera sursa de poartă de încărcare MOSFET de mare putere, pentru a atinge scopul de a opri, marginea de cădere a semnalului PWM este mare. marginea descendentă a semnalului PWM este mare, ceea ce va duce la oprirea lentă a MOSFET-ului, pierderea de putere este foarte mare;

În plus, programul de brevet MOSFET este susceptibil la interferențe, iar cipul de control PWM trebuie să aibă o putere mare de ieșire, ceea ce face ca temperatura chipului să fie ridicată, afectând durata de viață a cipulului. Conținutul invenției Scopul acestui model de utilitate este de a oferi un circuit de comandă MOSFET de mare putere, să funcționeze mai stabil și mai zero pentru a atinge scopul acestei soluții tehnice invenție de model de utilitate - un circuit de comandă MOSFET de mare putere, ieșirea semnalului de cipul de control PWM este conectat la transformatorul de impuls primar, the prima ieşire odacă transformatorul de impuls secundar este conectat la prima poartă MOSFET, a doua ieșire a transformatorului de impuls secundar este conectată la prima poartă MOSFET, a doua ieșire a transformatorului de impuls secundar este conectată la prima poartă MOSFET. Prima ieșire a secundarului transformatorului de impulsuri este conectată la poarta primului MOSFET, a doua ieșire a secundarului transformatorului de impulsuri este conectată la poarta celui de-al doilea MOSFET, caracterizată prin aceea că prima ieșire a secundarului transformatorului de impulsuri este de asemenea conectată la primul tranzistor de descărcare, iar a doua ieșire a secundarului transformatorului de impuls este, de asemenea, conectată la al doilea tranzistor de descărcare. Partea primară a transformatorului de impuls este, de asemenea, conectată la un circuit de stocare și eliberare a energiei.

Circuitul de eliberare de stocare a energiei include un rezistor, un condensator și o diodă, rezistorul și condensatorul sunt conectate în paralel, iar circuitul paralel menționat mai sus este conectat în serie cu dioda. Modelul de utilitate are un efect benefic. Modelul de utilitate are, de asemenea, un prim tranzistor de descărcare conectat la prima ieșire a secundarului transformatorului și un al doilea tranzistor de descărcare conectat la a doua ieșire a transformatorului de impulsuri, astfel încât atunci când transformatorul de impulsuri scoate o ieșire scăzută. nivel, primul MOSFET și al doilea MOSFET pot fi descărcate rapid pentru a îmbunătăți viteza de oprire a MOSFET și pentru a reduce pierderea MOSFET. Semnalul cipului de control PWM este conectat la MOSFET de amplificare a semnalului între ieșirea primară și primarul transformatorului de impuls, care poate fi folosit pentru amplificarea semnalului. Ieșirea semnalului cipului de control PWM și transformatorul de impuls primar sunt conectate la un MOSFET pentru amplificarea semnalului, ceea ce poate îmbunătăți și mai mult capacitatea de conducere a semnalului PWM.

Transformatorul de impuls primar este, de asemenea, conectat la un circuit de eliberare de stocare a energiei, atunci când semnalul PWM este la un nivel scăzut, circuitul de eliberare de stocare a energiei eliberează energia stocată în transformatorul de impuls atunci când PWM este la un nivel înalt, asigurând că poarta sursa primului MOSFET și a celui de-al doilea MOSFET este extrem de scăzută, ceea ce joacă un rol în prevenirea interferențelor.

Într-o implementare specifică, un MOSFET Q1 de putere scăzută pentru amplificarea semnalului este conectat între terminalul de ieșire a semnalului A al chipului de control PWM și primarul transformatorului de impulsuri Tl, primul terminal de ieșire al secundarului transformatorului de impulsuri este conectat la poarta primului MOSFET Q4 prin dioda D1 și rezistența de comandă Rl, a doua bornă de ieșire a secundarului transformatorului de impuls este conectată la poarta celui de-al doilea MOSFET Q5 prin intermediul dioda D2 și rezistența de comandă R2, iar prima bornă de ieșire a secundarului transformatorului de impuls este, de asemenea, conectată la prima triodă de drenaj Q2, iar a doua triodă de drenaj Q3 este, de asemenea, conectată la a doua triodă de drenaj Q3. MOSFET Q5, primul terminal de ieșire al transformatorului de impulsuri secundar este, de asemenea, conectat la un prim tranzistor de drenaj Q2, iar al doilea terminal de ieșire al secundarului transformatorului de impulsuri este, de asemenea, conectat la un al doilea tranzistor de drenaj Q3.

Poarta primului MOSFET Q4 este conectată la o rezistență de drenaj R3, iar poarta celui de-al doilea MOSFET Q5 este conectată la un rezistor de drenaj R4. primarul transformatorului de impulsuri Tl este, de asemenea, conectat la un circuit de stocare și eliberare a energiei, iar circuitul de stocare și eliberare a energiei include un rezistor R5, un condensator Cl și o diodă D3, iar rezistența R5 și condensatorul Cl sunt conectate în paralel, iar circuitul paralel menționat mai sus este conectat în serie cu dioda D3. semnalul PWM de ieșire de la cipul de control PWM este conectat la MOSFET-ul Q2 de putere redusă, iar MOSFET-ul Q2 de putere redusă este conectat la secundarul transformatorului de impulsuri. este amplificată de MOSFET-ul de mică putere Ql și ieșită către primarul transformatorului de impulsuri Tl. Când semnalul PWM este ridicat, primul terminal de ieșire și al doilea terminal de ieșire al secundarului transformatorului de impulsuri Tl scot semnale de nivel înalt pentru a conduce primul MOSFET Q4 și al doilea MOSFET Q5.

Când semnalul PWM este scăzut, prima ieșire și a doua ieșire a transformatorului de impulsuri Tl semnale de ieșire secundară de nivel scăzut, primul tranzistor de drenaj Q2 și al doilea tranzistor de drenaj Q3 conducție, prima capacitate a sursei de poartă MOSFETQ4 prin rezistorul de drenaj R3, primul tranzistor de scurgere Q2 pentru descărcare, a doua capacitate a sursei de poartă MOSFETQ5 prin rezistorul de drenaj R4, a doua drenare tranzistorul Q3 pentru descărcare, a doua capacitate a sursei de poartă MOSFETQ5 prin rezistorul de drenaj R4, al doilea tranzistor de drenaj Q3 pentru descărcare, a doua capacitate a sursei de poartă MOSFETQ5 prin rezistorul de drenaj R4, al doilea tranzistor de drenaj Q3 pentru descărcare. A doua capacitate a sursei de poartă MOSFETQ5 este descărcată prin rezistorul de drenaj R4 și al doilea tranzistor de drenaj Q3, astfel încât primul MOSFET Q4 și al doilea MOSFET Q5 pot fi oprite mai repede și pierderea de putere poate fi redusă.

Când semnalul PWM este scăzut, circuitul de eliberare a energiei stocate compus din rezistența R5, condensatorul Cl și dioda D3 eliberează energia stocată în transformatorul de impuls atunci când PWM este ridicat, asigurând că sursa de poartă a primului MOSFET Q4 și a celui de-al doilea MOSFET Q5 este extrem de scăzut, ceea ce servește scopului anti-interferență. Dioda Dl și dioda D2 conduc curentul de ieșire unidirecțional, asigurând astfel calitatea formei de undă PWM și, în același timp, joacă și rolul de anti-interferență într-o anumită măsură.