Care este diferența dintre MOSFET și IGBT? Olukey îți va răspunde la întrebări!

Ca elemente de comutare, MOSFET și IGBT apar adesea în circuitele electronice. De asemenea, sunt similare ca aspect și parametri caracteristici. Cred că mulți oameni se vor întreba de ce unele circuite trebuie să folosească MOSFET, în timp ce altele folosesc. IGBT?

Care este diferența dintre ele? Următorul,Olukeyva raspunde la intrebari!

Ce este aMOSFET?

MOSFET, numele complet chinezesc este tranzistor cu efect de câmp semiconductor cu oxid de metal. Deoarece poarta acestui tranzistor cu efect de câmp este izolată de un strat izolator, se mai numește și tranzistor cu efect de câmp cu poartă izolată. MOSFET poate fi împărțit în două tipuri: „N-type” și „P-type” în funcție de polaritatea „canalului” său (purtător de lucru), de obicei numit și N MOSFET și P MOSFET.

MOSFET-ul însuși are propria sa diodă parazită, care este folosită pentru a preveni arderea MOSFET-ului atunci când VDD este supra-tensiune. Deoarece înainte ca supratensiunea să provoace deteriorarea MOSFET-ului, dioda se defectează mai întâi invers și direcționează curentul mare la pământ, prevenind astfel arderea MOSFET-ului.

Ce este IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) este un dispozitiv semiconductor compus compus dintr-un tranzistor și un MOSFET.

Simbolurile circuitelor IGBT nu sunt încă unificate. La desenarea diagramei schematice, simbolurile triodei și MOSFET sunt în general împrumutate. În acest moment, puteți judeca dacă este IGBT sau MOSFET din modelul marcat pe diagrama schematică.

În același timp, ar trebui să acordați atenție dacă IGBT are o diodă pentru corp. Daca nu este marcat pe poza, nu inseamna ca nu exista. Cu excepția cazului în care datele oficiale indică altfel, această diodă este prezentă. Dioda corpului din interiorul IGBT nu este parazită, dar este special configurată pentru a proteja tensiunea de rezistență inversă fragilă a IGBT. Se mai numește și FWD (diodă de roată liberă).

Structura internă a celor doi este diferită

Cei trei poli ai MOSFET sunt sursa (S), scurgerea (D) și poarta (G).

Cei trei poli ai IGBT sunt colectorul (C), emițătorul (E) și poarta (G).

Un IGBT este construit prin adăugarea unui strat suplimentar la scurgerea unui MOSFET. Structura lor internă este următoarea:

Domeniile de aplicare ale celor doi sunt diferite

Structurile interne ale MOSFET și IGBT sunt diferite, ceea ce determină domeniile lor de aplicare.

Datorită structurii MOSFET, acesta poate obține de obicei un curent mare, care poate ajunge la KA, dar capacitatea de rezistență la tensiune nu este la fel de puternică ca IGBT. Principalele sale domenii de aplicare sunt sursele de alimentare cu comutare, balasturile, încălzirea prin inducție de înaltă frecvență, mașinile de sudură cu invertor de înaltă frecvență, sursele de alimentare pentru comunicații și alte domenii de alimentare cu energie de înaltă frecvență.

IGBT poate produce multă putere, curent și tensiune, dar frecvența nu este prea mare. În prezent, viteza de comutare a IGBT poate ajunge la 100KHZ. IGBT este utilizat pe scară largă în mașini de sudură, invertoare, convertoare de frecvență, surse electrolitice de galvanizare, încălzire prin inducție cu ultrasunete și alte domenii.

Principalele caracteristici ale MOSFET și IGBT

MOSFET are caracteristicile unei impedanțe mari de intrare, viteză de comutare rapidă, stabilitate termică bună, curent de control al tensiunii etc. În circuit, poate fi folosit ca amplificator, comutator electronic și în alte scopuri.

Ca un nou tip de dispozitiv electronic semiconductor, IGBT are caracteristicile impedanței de intrare ridicate, consumului de putere de control de tensiune joasă, circuit de control simplu, rezistență la tensiune ridicată și toleranță mare la curent și a fost utilizat pe scară largă în diferite circuite electronice.

Circuitul echivalent ideal al IGBT este prezentat în figura de mai jos. IGBT este de fapt o combinație de MOSFET și tranzistor. MOSFET are dezavantajul unei rezistențe mari la pornire, dar IGBT depășește acest neajuns. IGBT are încă rezistență scăzută la tensiune înaltă. .

În general, avantajul MOSFET este că are caracteristici bune de înaltă frecvență și poate funcționa la o frecvență de sute de kHz și până la MHz. Dezavantajul este că rezistența la pornire este mare, iar consumul de energie este mare în situații de înaltă tensiune și curent ridicat. IGBT funcționează bine în situații de joasă frecvență și putere mare, cu rezistență mică la pornire și tensiune de rezistență ridicată.

Alegeți MOSFET sau IGBT

În circuit, dacă să alegeți MOSFET ca tub de comutare de alimentare sau IGBT este o întrebare pe care inginerii o întâmpină adesea. Dacă sunt luați în considerare factori precum tensiunea, curentul și puterea de comutare a sistemului, se pot rezuma următoarele puncte:

Oamenii întreabă adesea: „Este MOSFET sau IGBT mai bun?” De fapt, nu există nicio diferență bună sau rea între cele două. Cel mai important lucru este să vedeți aplicația sa reală.

Dacă mai aveți întrebări despre diferența dintre MOSFET și IGBT, puteți contacta Olukey pentru detalii.

Olukey distribuie în principal produse MOSFET de medie și joasă tensiune WINSOK. Produsele sunt utilizate pe scară largă în industria militară, plăci de driver LED/LCD, plăci de driver de motor, încărcare rapidă, țigări electronice, monitoare LCD, surse de alimentare, electrocasnice mici, produse medicale și produse Bluetooth. Cântare electronice, electronice pentru vehicule, produse de rețea, aparate de uz casnic, periferice de calculator și diverse produse digitale.